SemiHow는 삼성반도체에서 10년 이상 파워반도체 설계기술, Fab 공정기술, Fab 생산기술을 확보한 엔지니어들을 중심으로 2002년 전력반도체 전문기업으로 설립 되었습니다.

SemiHow은 2004년에 China Resources Microelectronics Limited (CR Micro)와 "기술 지원 및 파운드리 계약"을 체결하여 Planar MOSFET 공정 기술을 CR Micro에 지원하고 CM Micro Fab에서 파운드리 웨이퍼를 생산하였습니다. 이후 2005년에 HV MOSFET를 개발 및 출시하였습니다. 이로써 SemiHow는 중국 및 한국 시장에 고전압 MOSFET를 대량 생산하여 처음으로 진입한 회사가 되었습니다.

이후 중국의 FMIC, Skysilicon, HHGrace 파운드리 업체와 협력하여 저전압 Trench MOSFET, SCR, Triac, NPT IGBT, Shield Gate Trench MOSFET, Super Junction MOSFET 제품을 지속적으로 출시해 왔습니다.

SemiHow는 이를 통해 모바일 충전기, 어댑터, 소비자 전자제품, PC, 전기차 충전기, 네트워크, 서버, LED 조명 등 다양한 시장에서 세계적인 기술력을 인정받았습니다.

2018년, 국내 시스템 반도체 발전을 위해 대규모 투자를 진행중인 Samsung Foundry와 Power Discrete 개발 및 Foundry 양산을 위한 전략적 협약을 하였고, 2019년 첫 개발 제품군인 SJ (Super Junction) MOSFET 공정을 Setup 하여 110제품(600-900volt)이상을 개발하여 출시하였습니다.

이후 지속적으로 FS(Field Stop) IGBT, SGT MOSFET, Gen2 SJ MOSFET 개발을 진행하여 2023 Q4 FS IGBT, SGT MOSFET제품 개발 출시하였으며, 2024 Q1 Gen2 SJ MOSFET, Q2 IGBT Power Module 제품 개발 출시 예정입니다.

2020년부터 SemiHow Power Discrete 제품의 80%이상을 Samsung Foundry에서 생산합니다. SemiHow의 20년의 기술 경쟁력 및 Know-How와 Samsung Foundry의 4대 핵심 경쟁력(Fab Capacity, Quality, Delivery, Cost)이 함께하는 시너지 파워는 어떤 고객의 요구도 만족시킬 수 있을 것입니다.