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History

2019
Super Junction (“SJ”) MOSFET 600V~900V 제품 110개 이상 개발 (with Samsung Foundry (“SF”) 8-inch Fab)
SemiHow Shielded Trench ("SGT") MOSFET 프로세스 및 Normal Low Voltage ("LVT") MOSFET 프로세스 Set-up (with SF 8-inch Fab)
2018
SF와 SJ, SGT, Planar MOSFET, FS IGBT 제품 개발 생산을 위한 전략적 파트너십 체결
SemiHow Super Junction(“SJ”) MOSFET 공정 기술 (EPI Stack) 및 Planar MOSFET 800/900Volt Process SF에 Porting 완료
SF 8inch Fab에서 개발 된 Super Junction MOSFET, 삼성 무선 사업부 승인 (Galaxy S10)
2015,16
700Volt 급 Super Junction MOSFET 삼성 Galaxy 시리즈 충전기에 약 1억 1천 만개 공급
2014
Deep-Trench 공정기술 적용 700V 급 Super Junction MOSFET Samsung Galaxy S5 및 Note4용 충전기에 승인
2012
700Volt HV MOSFET제품 삼성 휴대폰 갤럭시 시리즈 승인, TRAIC 제품 대우 세탁기 승인
Thyristor(TRIAC, SCR) 제품 개발, 출시
2010,11
전원 스위치 MCP (PWM IC + MOSFET) 제품 및 PFC IC 제품 DB Hitech 8inch Fab에서 개발, 출시
Soc (PWM IC + MOSFET) 제품 Dalsa (캐나다) BCDMOS 8 인치 공정에서 개발 출시
2008,9,10
Planar Gen2, Gen3, Gen4 MOSFET 제품 Guoyu, ZhongHuan 및 FMIC 6inch Fab에서 개발. (SemiHow 공정 및 생산 기술 Set-up)
2007
삼성 전자 및 중국 / 한국 대기업 고객으로 부터 Power Discrete 공급 업체 승인
매출 170억원 달성
2004
CM Micro(China Resources Microelectronics Limited) 5inch Fab에서 고전압 (500V-900V) Planar MOSFET 개발 (SemiHow 공정 및 생산 기술 Set-up)
2003
Huashan Electronics 4inch Fab에서 PC 전력 애플리케이션 용 Power BJT (Bipolar Junction Transistor) 700Volt용 13005,7,9 개발 (SemiHow 공정 및 생산 기술 Set-up)
2002
SemiHow 설립
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