History

HISTORY OF THREEWAY

걸어온 길을 소개해 드리겠습니다.

2023

  • 1200V 등급 IGBT 개발 완료

  • 인천 청라 사옥 확장 이전

2022

  • Cuckoo Electronics 인덕션 레인지의 모든 모델에 대한 650V 및 1400V 등급 IGBT의 승인 완료

  • 산업통상자원부 1,000만불 수출의 탑 수상

  • 세계 최대 채굴기 업체인 Bitmain First Vendor 승인/납품

  • ASUS ATX Power 승인 공급

2021

  • 650V 및 1400V 등급 IGBT 개발 완료

  • 중소벤처기업부 장관 표창 수상

2020

  • Field Stop IGBT 개발이 650V 및 1400V 등급으로 SF에서 시작

2019

  • Super Junction (“SJ”) MOSFET 600V~900V 제품 110개 이상 개발 (with Samsung Foundry (“SF”) 8-inch Fab)

  • SemiHow Shielded Trench ("SGT") MOSFET 프로세스 및 Normal Low Voltage ("LVT") MOSFET 프로세스 Set-up (with SF 8-inch Fab)

2018

  • SF와 SJ, SGT, Planar MOSFET, FS IGBT 제품 개발 생산을 위한 전략적 파트너십 체결

  • SemiHow Super Junction(“SJ”) MOSFET 공정 기술 (EPI Stack) 및 Planar MOSFET 800/900Volt Process SF에 Porting 완료

  • SF 8inch Fab에서 개발 된 Super Junction MOSFET, 삼성 무선 사업부 승인 (Galaxy S10)

2016

  • 삼성 휴대폰 충전기에 승인된 Super Junction MOSFET 매출 500만불 달성

2015, 16

  • 700Volt 급 Super Junction MOSFET 삼성 Galaxy 시리즈 충전기에 약 1억 1천 만개 공급

2014

  • Deep-Trench 공정기술 적용 700V 급 Super Junction MOSFET Samsung Galaxy S5 및 Note4용 충전기에 승인

2012

  • 700Volt HV MOSFET제품 삼성 휴대폰 갤럭시 시리즈 승인, TRAIC 제품 대우 세탁기 승인

  • Thyristor(TRIAC, SCR) 제품 개발, 출시

2010, 11

  • 전원 스위치 MCP (PWM IC + MOSFET) 제품 및 PFC IC 제품 DB Hitech 8inch Fab에서 개발, 출시

  • Soc (PWM IC + MOSFET) 제품 Dalsa (캐나다) BCDMOS 8 인치 공정에서 개발 출시

2008, 09, 10

  • Planar Gen2, Gen3, Gen4 MOSFET 제품 Guoyu, ZhongHuan 및 FMIC 6inch Fab에서 개발. (SemiHow 공정 및 생산 기술 Set-up)

2007

  • 삼성 전자 및 중국 / 한국 대기업 고객으로 부터 Power Discrete 공급 업체 승인

  • 매출 170억원 달성

2004

  • CM Micro(China Resources Microelectronics Limited) 5inch Fab에서 고전압 (500V-900V) Planar MOSFET 개발 (SemiHow 공정 및 생산 기술 Set-up)

2003

  • Huashan Electronics 4inch Fab에서 PC 전력 애플리케이션 용 Power BJT (Bipolar Junction Transistor) 700Volt용 13005,7,9 개발 (SemiHow 공정 및 생산 기술 Set-up)

2002

  • SemiHow 설립

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