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Company Profile

SemiHow是以拥有Samsung半导体10年以上功率分立器件设计技术
Fab工艺技术, Fab 生产技术的优秀技术人员为核心建立于 
2002年的功率分立器件专业公司.
2004年为生产 Planar MOSFET Foundry CM Micro
(China Resources Microelectronics Limited) 签订了技术支援及 Foundry 
合约后搭建了 Planar MOSFET 工艺平台并于 2005年开始开发并量产了 
High Voltage Planar MOSFET产品SemiHow是东南亚首家成功开发并推出可 
与原有 Global 先进公司产品竞争的 High Voltage MOSFET 产品的创业公司.
以后直至2017年通过与中国的 FMIC, HHGraceFoundry公司
的战略合作陆续开发并上市 
LV Trench MOSFET, SCR, Triac, SGT MOSFET, SJ MOSFET 等产品.
并在手机充电器,适配器, LED照明, 家电电源PC 电源等消费应用市场以及 
EV 充电器, 网络产品,服务器等工业应用市场作为国际技术水准的
专业功率分立器件公司得到了充分认可.

Company Profile

2018, 和为发展韩国国内半导体而大规模投资中的 Samsung Foundry达成了 Power Discrete 开发及 Foundry 量产的战略合作,

2019, 搭建第一批开发产品系列 SJ(Super Junction)MOSFET 产品的工艺平台并成功推出 70多种(600V~900V)产品.

之后继续开发 SGT MOSFET, LV MOSFET, Gen2 SJ MOSFET 并计划在2020Q2  开发推出 LV MOSFET, SGT MOFET 产品,

2020 Q3 计划推出 Gen2 SJ MOSFET, 2020 Q4 推出 FS(Field Stop) IGBT 产品.

2020年开始SemiHowPower Discrete 产品的80%以上在Samsung Foundry进行生产.

SemiHow20年的技术竞争力及Know-HowSamsung Foundry4大核心竞争力(FabCapacity,Quality,Delivery,Cost)的协同效应可以满足任何顾客的要求.

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