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부산 파워반도체 상용화센터와 SiC Diode / SiC MOSFET 개발 및 양산을 위한 NDA (비밀유지계약서) 체결
Writer : 관리자(sales@semihow.com)  Date : 21.04.28   Hits : 2045

전력반도체 전문기업 ㈜쎄미하우는 

‘21년 4월 6일에 부산 파워반도체 상용화센터와 SiC Diode / SiC MOSFET 개발 및 양산을 진행하기 위하여 

NDA (비밀유지계약서) 체결을 완료하였습니다.

 

개발 및 양산하려는 SiC 파워반도체는 높은 전력변환효율을 바탕으로 

고전압, 고내열용 전력소자에 활용이 기대되는 반도체로써, 

Automotive & Industry 및 IT/Consumer 등 다양한 분야에 응용되고 있는 중요한 부품입니다.

 

부산 파워반도체 상용화센터는 파워반도체의 개발과 양산을 지원하기 위하여 

정부의 지원으로 구축한 시설로써 식각장비, 측장장비, 클린룸을 포함해 

모두 20종이 넘는 파워반도체 전용 장비를 갖춘 시설입니다.

 

㈜쎄미하우는 부산 파워반도체 상용화센터를 이용하여 SiC Diode 및 MOSFET을 개발 및 양산하기 위하여 준비하고 있습니다.

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